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張貼者： |
8飆股8
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| 時間： |
2013/5/29 上午 09:15:00
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| 標題： |
Broadcom 的 Bluetooth & 穩懋的HBT與HEMT
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內容： |
Broadcom 的 Bluetooth
藉由純數位 CMOS 方法與絕佳攔截效能, Broadcom 的 Bluetooth® 晶片組和系統解決方案提供實現個人無線區域網路的可行技術。Broadcom 的 Bluetooth 晶片為 OEM 廠商和系統整合者提供了射頻、基頻、系統及完整軟體的支援，可達成行動電話、無線立體聲耳機、PDA 與車輛等各項電子裝置的無線共用資料功能。
穩懋的HBT與HEMT
一、穩懋半導體投入整合HBT和pHEMT於單一砷化鎵晶片前端製程技術開發於WiMAX之應用
在通訊射頻領域，國際砷化鎵元件一線大廠在砷化鎵市場佔有率超過60，而WiMAX (Worldwide Interoperability for Microwave Access；全球互通微波存取)是目前最重要且能產生大量應用之通訊標準之一，為擴大整個砷化鎵無線通訊產業的市場佔有率，必須研發新的製程技術，給予客戶在設計上更多的優勢應用於WiMAX相關產品上。目前台灣砷化鎵產業只專注於砷化鎵晶圓代工，在可靠度及封裝考量上缺乏經驗。有鑑於此，穩懋半導體欲研發BiFET (Bipolar/ FET，雙極場效電晶體)製程技術，整合HBT (Heterojunction bipolar transistor，異質接面雙極性電晶體)與pHEMT (pseudomorphic High Electron Mobility Transistor，擬態高速移動電子電晶體)製程，應用於WiMAX系統模組的單晶片。由穩懋公司負責磊晶及製程，工研院資通所負責電路設計，工研院電光所負責熱傳及熱應力分析，提供全面性的Bi-FET製程技術，達成高整合晶片應於WiMAX之目標。據穩懋表示，本計畫若順利執行，將可完成最先進之6 英吋GaAs (砷化鉀) HBT + E/D(增強/耗盡型) pHEMT MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuits，單晶微波積體電路)製程技術研發於WiMAX應用，進一步提升功率元件、被動元件機械性質的研發能量，並成為國際上技術最尖端的6英吋砷化鎵單晶微波積體電路製造公司。配合未來投產計畫，年產量達144,000片6吋砷化鎵晶圓，可提供全球無線通訊產業足夠的關鍵性零組件。
兩者在手持裝置競爭上 請大大提供更多分析來了解未來公司未來性
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