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張貼者： |
Jennyliu
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| 時間： |
2026/1/16 下午 06:58:00
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記憶體無悲觀理由 外資調升5將目標價 華邦電 南亞科 力積電 旺宏 愛普 鈺創 威剛 普安
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記憶體無悲觀理由 外資調升5將目標價 華邦電 南亞科 力積電 旺宏 愛普 鈺創 威剛 2495普安
2026.01.16
記憶體熱浪還沒完，美系外資直言認為並無轉負面的理由(No Reason to Turn Negativ)，觀察DDR4、DDR3、NOR以及SLC/MLC NAND的供需缺口可能進一步擴大，DRAM方面，DDR4今年首季漲價可望超過5成，並預計第二季價格續漲，並擴散至DDR3；而NOR首季漲價亦有望漲價30%，NAND供給大幅削減，也有望推升MLC/SLC第一季價格高達50%。
華邦電(2344)、南亞科(2408)、力積電(6770)、旺宏(2337)、愛普*(6531)再獲美系外資上升目標價，周五記憶體相關個股再度啟動攻勢，力積電、凌航(3135)、南茂(8150)、廣穎(4973)、品安(8088)全數收鎖漲停價位，旺宏(2337)、華邦電(2344)、宇瞻(8271)、創見(2451)、南亞科(2408)、群聯(8299)、威剛(3260)等也強漲半根漲停以上，而凌航、南茂、品安、南亞科等再度衝上新高價，廣穎也直逼55.6元天價。
美光表示，記憶體短缺2028年前不會改善，記憶體族群股價累積漲幅高，面臨處置股窘境，而台系相關大廠自家陸續均有賣股動作，但美光MU內部人於近日買入自家股票，台積電前董事長劉德音為現任美光董事於近日買入自家股票MU共計780萬美金，力挺自家股價表現。
記憶體進入2026年，美系外資直言認為並無轉負面的理由(No Reason to Turn Negativ)，傳統記憶體超級循環將持續在2026年，推升相關廠商營運表現。外資認為，DDR4、DDR3、NOR、SLC/MLC NAND的供需缺口可能進一步擴大。傳統記憶體供應商也可望分享HBM的成長。上調所有目標價，華邦電從88元至130元、力積電從41元至56元、旺宏從48元至72.5元、北京兆易創新(603986.SS)從255元至288元人民幣、愛普從475元至555元、南亞科從198元至298元。而重申華邦電為首選股。
記憶體價格上，外資認為，傳統記憶體容量持續被取代，價格走強延續。DDR方面，DDR4供需緊張推高第二季價格，並蔓延至DDR3。NOR方面，今年第一季價格上漲30%可期，資料中心機會增加。而NAND上，供應大幅減少可能使第一季MLC/SLC價格上漲達50%。
市場認為，DDR4和DDR3的利好已確認，其中企業買家在今年一月對購買DDR4變得更積極，價格上漲幅度可能在第一季達到50%，因此認為DDR4價格可能會持續上漲，甚至延續到第二季，同時台灣DDR4供應商可能會嘗試增加額外的位元出貨量。這也導致產能從DDR3分配到DDR4，現在造成高密度DDR3產品(如2G)出現嚴重短缺，故評估DDR3供應商可能會迎頭趕上。
供給減少下，NOR Flash價格在第一季也可能上漲20-30%，第二季度還有進一步上行空間，價格上漲的可見性甚至延伸至2026下半年。其中美國大廠預估將降低產能，給予台灣廠商提供進一步進入AI伺服器市場的機會。至於MLC，韓系廠商持續的產能下調可能推動MLC價格上漲50%以上。值得一提，高密度SLC NAND的價格在2026年第一季正在趕上。
整體而言，傳統記憶體廠商將受益於HBM、CoWoS擴產，產生供需不平衡，推升價格持續走揚，激勵廠商營運表現，同時台灣DDR4供應商可能會嘗試增加額外的位元出貨量。至於力積電，外資認為P5廠具備足夠產能支援WoW/混合鍵合(HB)堆疊，這具有吸引力，因HBM4e將需要HB，而且大多數全球記憶體廠商已無Clean Space(無塵室)。關於愛普，預期一位美國客戶採用CoWoS-S帶動IPD業務強勁成長。
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