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張貼者： |
Jennyliu
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| 時間： |
2026/1/30 上午 08:50:00
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三星、SK海力士同聲唱旺 南亞科、群聯、華邦、威剛等受惠 鈺創 2495普安
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三星、SK海力士同聲唱旺 南亞科、群聯、華邦、威剛等受惠 鈺創 2495普安
2026/01/30
南韓記憶體兩大巨頭三星、SK海力士上季獲利同步創新高，昨（29）日同聲看好記憶體需求將續強，預估供給吃緊的狀況到2027年前恐怕都難以改善。
三星、SK海力士在全球DRAM與儲存型快閃記憶體（NAND Flash）合計掌握超過五成市占，並且在AI用的高頻寬記憶體（HBM）掌握半壁江山。法人指出，兩大巨頭同聲看旺記憶體產業後市，南亞科（2408）、群聯、華邦、威剛、創見、十銓等台灣記憶體相關業者也將受惠。
三星、SK海力士昨天都舉辦財報會議。展望記憶體市況，三星記憶體事業主管金在俊表示，今、明年擴產程度預料將受限，主因整個業界無塵室空間有限，加上AI相關需求強勁，預料將導致供應持續吃緊。
SK海力士DRAM行銷主管朴俊德（音譯）則說，記憶體市場正經歷爆炸性的需求成長，以及AI基礎設施投資持續擴張，但供應無法跟上需求，導致市場陷入「極度供需失衡」的狀態。
SK海力士預估，今年DRAM需求將成長超過20%，NAND晶片需求增幅估達15%至19%。
因應需求爆炸性成長，該公司將在旗下M15X廠新增高頻寬記憶體產能，傳統DRAM和NAND晶片則加速改用更先進的技術生產。
業界分析，記憶體製造商紛紛調整生產線，轉向生產利潤豐厚的HBM。
由於生產相同容量的HBM所需晶圓產能約為標準型DRAM的三倍，三星與SK海力士加速調整生產線，等同長期壓縮一般DRAM與利基型記憶體供給，造成消費性與工控市場報價同步走揚，這波由AI引爆的「產能排擠效應」，正是台廠重新取得定價權的重要轉折。
台灣記憶體相關廠商也對後市正向看待。南亞科認為，AI相關需求推升高階DRAM投片比重，國際原廠轉向HBM，使標準型DRAM供給趨緊，客戶備貨動能回溫，有助報價結構改善。
華邦長期深耕利基型DRAM與編碼型快閃記憶體（NOR Flash），近年積極布局車用、工控與物聯網市場。
華邦預期，AI浪潮不僅帶動資料中心建置潮，也加速邊緣運算、智慧設備升級，推升工控與車用對高可靠度記憶體需求。
法人分析，三星與SK海力士同聲唱旺記憶體陋室，為全球記憶體產業定錨新一輪長循環，隨HBM排擠效應持續發酵，標準型與利基型記憶體供不應求態勢將延續，台灣DRAM廠在這波結構轉變中，角色正由過去的價格承受者，逐步轉為報價受益者。
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