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張貼者: 木蘭
時間: 2026/4/6 下午 12:55:00
標題: 陸 DRAM 龍頭力推一計畫 韓媒示警:記憶體超級周期晴轉陰
內容:
2026/04/05 17:16:50
經濟日報 編譯林文彬/綜合外電


中國大陸最大動態隨機存取記憶體(DRAM)製造商長鑫存儲,正推動在上海科創板首次公開發行股票(IPO)的計畫,目標是籌資約人民幣295億元(43億美元)來擴張產能。南韓媒體報導,長鑫存儲透過IPO籌措提高產能所需資金的計畫,已讓記憶體周期前景蒙上陰霾。


長鑫存儲據傳最快6月掛牌上市,由於新產能啟用可能適逢當前記憶體周期開始成熟,這項上市計畫已讓外界加強關注全球記憶體市場供給前景。韓國前鋒報報導,長鑫存儲提高記憶體產量,將推升市場更平衡甚至更寬鬆的風險。


長鑫存儲已藉由擴大供給DDR4等通用DRAM打亂市場,導致三大業者三星、SK海力士和美光承壓。截至去年第3季結束長鑫存儲全球DRAM市占率達到5%,比一年前上升2個百分點,產能利用率也上升至94.6%。


長鑫存儲產量增加,可能導致點燃最近記憶體周期的供給吃緊情勢開始舒緩,進而降低提前採購需求。記憶體價格大跌不是基本情境,分析師預期價格上漲將減速,但這仍將直接衝擊獲利動能。


三星和SK海力士在高頻寬記憶體(HBM)加持下獲利亮眼,但通用DRAM仍貢獻大量營收。如果價格漲幅小於預期,獲利成長可能喪失動能。業內消息人士說:「高價值產品正快速成長,但仍不足以改變整體結構。如果通用記憶體價格走弱,獲利成長勢必會減速。」


除了影響DRAM短期供給,從長期來看,市場版圖也可能改變。長鑫存儲透過IPO籌措的資金,也可能用於HBM等價值較高領域。如果長鑫存儲開發出具競爭力的HBM能力,市場結構可能從三強鼎立轉變為四強,進而挑戰三星、SK海力士和美光主宰地位。



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(第 1  篇) 木蘭  於 2026/4/6 下午 01:02:00  說:

從頭到尾就是在亂寫.

前年第一個跑的是海力士.全去做英偉達的HBM晶片.去年三星拿到長鑫的專利.能夠做多層的技術.他也跑去全部都做HBM.是全部喔.一顆一般晶片都沒有.全部留給中國.連它們自己韓國的手機都沒留.

2026年初換長鑫想跑.不做DDR4.只做DDR5.兆易拜託下.只留下兆易.然後美商想簽長約全面鎖定產能.這個不行.因為中國品牌也需要.所以檔期排到2028年才會緩解.這個還沒算中國自己的AI品牌.所以長鑫擴廠3期.就是這樣來的.

你是搞中國上海的入常鬥爭嗎?那2個就是直接退休.不必再談.

晶片的需求是長期不足的.不必讚放晶片利空給上海入常.那2個就是免談.連25位的領導都不給做.看那個王毅.國家都倒楣到不行了.還不快滾.

誰要是去再中國搞鬥爭.你就第一個出去.絕不寬貸.





(第 2  篇)  於 2026/4/6 下午 01:04:00  說:






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