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張貼者： |
摩根士丹利
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2026/8/20 上午 08:31:00
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記憶體價格 Q3、Q4恐飆各自漲 50%！摩根士丹利示警 Q3 缺貨潮加劇
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記憶體大廠全面倒向 HBM
JC by JC 2026-08-19
DDR4 記憶體價格恐飆 50%！摩根士丹利示警 Q3 缺貨潮加劇
摩根士丹利最新報告指出，DDR4 價格恐於 Q3 暴漲 50%，SLC NAND 更誇張，Q3、Q4 都可能各漲逾五成。記憶體廠瘋狂轉單 HBM 惹的禍，DDR5 現貨價也同步噴出。
摩根士丹利稱 DDR4 第三季恐狂漲 50%
華爾街投行摩根士丹利 (Morgan Stanley) 最新一份報告針對「成熟製程記憶體」(也就是 DDR4 與 SLC NAND 這類) 的價格走勢給出預測，如果成真，恐怕會讓不少想撿便宜、組裝二手主機或維修舊系統的消費者與中小企業叫苦連天。
根據最新報告，DDR4 價格預計會在 2026 年第三季暴漲 50%，第四季再追加約 10% 的漲幅。乍看之下這已經夠嚇人了，但報告中對 SLC NAND 的預測還更誇張，摩根士丹利預估，SLC NAND 在今年剩下的兩季 (Q3、Q4) 都可能各自上漲超過 50%，等於是連續兩季的「倍數式」漲價。
這波漲勢的根本原因，摩根士丹利點名是供給端的結構性問題。簡單來說，記憶體大廠正把晶圓產能大舉轉往 HBM 高頻寬記憶體、DDR5 以及更高階層數的 NAND 產品，導致原本就已經是「舊世代」的 DDR4 與 SLC NAND，分到的產能占比越來越小，供給自然快速萎縮。
業界早已知道，HBM 消耗的矽晶圓數量大約是傳統 DRAM 的 3 倍之多，而這並不只是因為 HBM 採用垂直堆疊架構的緣故。另一個關鍵因素在於，記憶體晶粒無法緊貼著連接各層 HBM 的「矽穿孔」(Through Silicon Via, TSV) 擺放，這項物理限制也大幅拉低了單片晶圓能夠產出的有效容量。換句話說，廠商每投入一片晶圓去生產 HBM，能實際變現的產出效率遠低於生產傳統 DRAM，這也難怪各大記憶體廠會如此積極地把產能往 HBM 傾斜。畢竟在 AI 伺服器需求熾熱的當下，HBM 的單位獲利表現遠比 DDR4 這類成熟產品來得誘人。
而 HBM 的胃口顯然還沒有見底的跡象。市場研究機構 UBS 近期便預估，光是 NVIDIA 一家公司，在 2027 年就將消耗掉約 251 億 Gb 的 HBM 容量，占整體產業約 615 億 Gb 總需求的相當比例，等於 NVIDIA 一家的採購量就足以左右整個 HBM 供應鏈的產能配置策略。也從側面說明，為何記憶體大廠寧可犧牲 DDR4、SLC NAND 這類老產品的產能，也要優先服務 HBM 訂單。
除了 DDR4 面臨的供給緊縮之外，新世代的 DDR5 記憶體同樣沒有降溫的跡象。根據美國銀行 (Bank of America) 的資料，DDR5-5600／6400 規格的 24GB 記憶體顆粒現貨價，光是 8 月單月就又上漲約 8%，換算成年增率，漲幅高達約 483%，也就是接近 5 倍。
具體數字更能說明這波漲勢有多誇張：同一顆 24GB DDR5 晶片，在 2025 年年中時大約只要 8 美元，但現在的價格已經逼近 47 美元，短短一年多的時間，價格幾乎翻了 6 倍。這樣的漲勢也呼應市場調查機構 TrendForce 較早前的觀察，DRAM 合約價在 2026 年第三季仍預估將維持相當緊俏，季增幅度落在 13% 至 18% 之間，NAND Flash 合約價也預估季增 10% 至 15%，儘管消費端需求轉弱，讓漲勢稍微收斂，但整體供給吃緊的格局並未改變。
對於一般消費者或中小型企業而言，這波「新舊通殺」的漲價潮，無論是想撿便宜升級舊機的 DDR4 路線，還是想跟上主流規格的 DDR5 路線，短期內恐怕都很難等到甜蜜點出現。若真的有採購或升級需求，及早規劃、提前備貨，或許會是比較務實的因應方式。
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