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張貼者: |
Jennyliu
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| 時間: |
2026/10/20 上午 08:42:00
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記憶體雜音多 法人:Q4 NAND漲價三成 3260威剛 5351鈺創 南亞科 2495普安
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記憶體雜音多 法人:Q4 NAND漲價三成 3260威剛 5351鈺創 南亞科 2495普安 群聯 華邦
2026.10.20
記憶體族群近期面臨陸系業者技術追趕、HBM規格調整及AI資本支出能否延續等疑慮,股價承壓。不過,法人指出,記憶體報價維持上行,預估第四季NAND價格季增30%、DRAM合約價季增約20%,AI推論需求擴張與成熟製程新增供給受限,支撐產業長期展望。
法人指出,第四季DRAM合約價漲幅,較第二季約80%、第三季約40%收斂,主要反映高基期、終端需求承受能力下降,以及長期供貨合約(LTA)價格上限機制逐步發揮作用。
中國長鑫存儲(CXMT)宣布新一代4F2 DRAM架構取得進展,引發市場對未來供給擴張的擔憂。
法人指出,相較主流6F2架構,4F2記憶體單元面積理論上可縮小約33%,但目前仍缺乏明確的量產良率、成本及大規模客戶驗證資訊,單元面積縮減,也不代表晶圓有效位元產出可等比例增加。
長鑫產能目前優先滿足中國大陸本土PC、手機與伺服器需求,部分產品報價已接近甚至高於國際原廠。
至於蘋果傳出評估中國記憶體供應商,考量功耗、效能、可靠度要求及美國政策阻力,短期仍難形成具規模的替代供給。
HBM方面,法人指出,輝達正重新評估下一代Rubin Ultra平台配置,由原規劃12層堆疊HBM4e,擴大評估8層堆疊HBM4e及HBM4方案。此舉可能著眼於有限供給下,提高GPU交付數量與整體系統效益。
在HBM堆疊數與單層容量相同的假設下,由12層改為8層,單顆GPU的HBM容量減少約33%,但相同DRAM晶粒供給量,理論上可支援約50%更多GPU出貨。未來HBM總位元需求表現,仍須觀察GPU出貨增量與單機配置調整。
法人強調,AI應用由模型訓練擴展至大規模推論,模型參數、上下文視窗及KV Cache需求增加,將同步推升記憶體容量、頻寬,以及伺服器DRAM與企業級SSD需求。
加上三大原廠資本支出集中高階記憶體,成熟DRAM與NAND新增供給相對受限,預期產業供需結構將較過往循環更具韌性。
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