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張貼者： |
木蘭
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2026/10/28 下午 02:42:00
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高盛存储专家会：产能扩张“远水难解近渴”，DRAM涨价或持续至2028年，HBM明年均价预计暴涨
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许超
10-28 13:51
TrendForce专家认为，产能扩张面临洁净室空间不足及设备交货期过长等结构性制约，DRAM涨价或超预期延续至2028年上半年。AI需求更将引爆HBM市场，预计2027年均价暴涨122%，行业规模破2000亿美元。供需错配下头部红利凸显，高盛重申买入三星与SK海力士。
存储芯片市场供需格局正向头部厂商倾斜，涨价周期或比市场预期更长。
高盛于10月27日举办TrendForce存储行业专家网络研讨会。TrendForce专家在会上表示，DRAM供给将在整个2027年维持紧张态势，价格上涨周期有望延续至2028年上半年；HBM混合均价预计2027年同比大涨122%至每Gb 3.7美元，驱动HBM行业收入增长逾230%，突破2000亿美元。
产能扩张面临洁净室空间不足及设备交货期过长等结构性制约，TrendForce判断2028年前难以实现有效供给增量，这一瓶颈为价格上行提供了持续支撑。
DRAM涨价周期或延伸至2028年上半年
TrendForce预计，服务器需求保持强劲、供给增量受限，将在未来数个季度持续推动DRAM均价上行，尽管消费端需求偏弱构成一定拖累。
长期协议（LTA）覆盖率达到60%至70%，可能令2027年价格涨幅趋于温和。但TrendForce指出，超出协议锁定量的增量需求仍可通过谈判以更高价格成交，整体定价重心仍向上倾斜。综合各项因素，TrendForce目前预计DRAM价格将持续上涨至2028年上半年。
TrendForce预计，HBM混合均价将于2027年同比上涨122%至每GB 3.7美元，推动HBM行业收入同比增长逾230%，超过2000亿美元。
价格分化将较为明显。TrendForce表示，HBM4高端定价可能超过每GB 5美元，低端则接近每GB 3美元，供应商与客户之间的议价结果差异显著。8层叠HBM4由于单位内存基础芯片成本更高，较12层叠产品每比特溢价预计在5%至10%之间；HBM4E的定价则可能大幅高于HBM4。
高盛在报告中表示，上述判断与其自身预测基本一致——该行目前估计主要供应商明年HBM均价同比涨幅为100%至160%。
产能扩张受制于设备与厂房，供给瓶颈短期难解
尽管头部厂商资本开支计划积极，TrendForce仍认为2028年前难以实现有效的DRAM产能增量，主要瓶颈在于洁净室空间不足及半导体设备交货期过长。
TrendForce预计，每家韩国厂商2027年可新增8万至10万片每月晶圆产能（WPM）。但三星电子的新增产能预计将大部分用于HBM，传统DRAM的比特增长主要依赖制程迁移推动。设备供应状况有望从2027年下半年起逐步改善，新晶圆厂对供给的实质性贡献预计要到2028年才会显现。TrendForce同时指出，供应商也可能根据需求前景主动调控扩产节奏。
TrendForce表示，Google正成为HBM需求增长的重要驱动力。随着TPU在Google数据中心的部署比例持续提升，HBM3E的比特需求明年有望获得支撑，意味着HBM需求将跨代分布，而非集中于HBM4及HBM4E。
与此同时，由于HBM4定价溢价显著，TrendForce预计HBM4将占2027年HBM行业收入的近60%。
高盛重申对三星电子普通股及优先股的买入评级，12个月目标价分别为50万韩元和38万韩元，估值基于2026至2027年预期EV/EBITDA的分类加总（SOTP）方法。
SK海力士目标价为350万韩元，基于2026至2027年平均预期市盈率（P/E），对应9.0倍目标估值倍数，同样维持买入评级。
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